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芯片的发展越来越迅速 ， 先进制程芯片量产的速度也是越来越快 ， 从28纳米 ， 就这么几年的时间 ， 如今已经成功挺进到4纳米 。 这意味着什么？意味着芯片先进制程已经即将就要接触到摩尔定律的极限了 。
当然 ， 如今全球企业在芯片先进制程上依旧还在不断努力中 ， 三星 ， 这个国际性的全能企业 ， 在3纳米芯片方面也传来了新进展 ， 据说三星准备在3纳米方面采用新工艺 。 那么 ， 这次三星是否真能实现3纳米的量产吗？毕竟三星叫嚷3纳米也已经有很多年了 ， 但是连影子都没见到 。
三星如今研发出这样一个更加先进的3纳米制程工艺 ， 那么究竟有没有希望能挽回有点要跑掉的高通呢？
三星3纳米传来新进展根据韩国媒体报道 ， 三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂 ， 目前预计可能会在6月份还7月份动工 ， 并且还准备一并将相应的设备落实到位 。 在3纳米芯片的制程工艺上 ， 三星大有破釜沉舟的样子 。
我国的台积电也确实有向3纳米芯片进军 ， 但是 ， 目前台积电使用的可是比较传统的FinFET工艺 。 而三星偏不 ， 三星这次准备用什么呢？准备使用新工艺 ， 准备成为第一个吃螃蟹的人 。 这个新工艺就是GAA晶体管工艺 。
这种新工艺主要就是利用新型的环绕栅极晶体管 ， 通过相关纳米片设备和相关技术进行相关的堆叠 ， 形成多桥通道场效应管 。
当然 ， 三星会有这样的举动也并不奇怪 ， 毕竟就按照理论上来说 ， 使用这种全新的GAA晶体管工艺生产出来的芯片也确实会比传统用FinFET工艺 ， 在整体性能上会有很大的增强 ， 具体来说 。
使用GAA新工艺生产出来的芯片 ， 功耗据说大约能降低50% ， 性能可以提高35% ， 至少还是从理论上来说 ， 因为目前还没有人试过 ， 三星用这种新工艺生产的芯片 ， 确实会优于台积电的传统功能工艺 。
但是 ， 三星的3纳米新工艺芯片要想实现超越台积电传统工艺的3纳米芯片 ， 那么 ， 首先就要一个大变数 。 那就是三星在3纳米芯片方面已经喊了几年了 ， 但是目前也仅仅看见三星动动嘴皮子 ， 那么 ， 这次三星传出准备采用新工艺 ， 准备建厂 ， 这次真有希望能实现3纳米芯片的量产吗？
三星这次真能实现3纳米的量产吗？首先 ， 三星在芯片业务
其实 ， 三星这次还是很有希望能实现自身这种使用更先进新技术 ， 3纳米芯片的量产的 。 在2020年11月9日 ， 三星就定下了在2022年 ， 也就是今年实现3纳米芯片量产的远大目标 ， 当时 ， 根据相关三星高管透露 ， 三星不仅仅定下了目标 ， 甚至还制定了行动计划 ， 预计想要投入1160亿美元发展芯片 。
这样的资金投入无疑也是非常巨大的 ， 在这样巨大的资金投入下 ， 加上如今在3纳米芯片方面 ， 三星已经研究了整整差不多有两年的时间了 ， 在时间也不短 ， 投入也不少的情况下 ， 想要在今年实现3纳米芯片的量产 ， 其实也不是不可能 。
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