所谓摩尔定律是指芯片上的晶体管数量每隔24个月将增加一倍（即半导体行业产品的性能每两年翻一倍） 。 当半导体工艺升级越来越困难 ， 很多人都在质疑摩尔定律是不是要失效了 。 Intel一直是摩尔定律坚定的支持者 ， 最近在2021 IEEE IDM(国际电子器件会议)上 ， Intel公布、展示了在封装、晶体管、量子物理学方面的关键技术新突破 ， 可推动摩尔定律继续发展 。
据介绍 ， Intel的组件研究团队致力于在三个关键领域进行创新：
首先Intel计划通过混合键合(hybrid bonding) ， 解决设计、制程工艺、组装难题 ， 将封装互连密度提升10倍以上 。 今年7月的时候 ， Intel就公布了新的Foveros Direct封装技术 ， 可实现10微米以下的凸点间距 ， 使3D堆叠的互连密度提高一个数量级 。 未来通过GAA RibbonFET晶体管、堆叠多个CMOS晶体管 ， Intel计划实现多达30-50％的逻辑电路缩放 ， 在单位面积内容纳更多晶体管 。 后纳米时代 ， 也就是埃米时代 ， Intel将克服传统硅通道的限制 ， 用只有几个原子厚度的新型材料制造晶体管 ， 可在每个芯片上增加数百万各晶体管 。
其次Intel计划采用新的硅技术 ， 比如在300毫米晶圆上首次集成基于氮化镓的功率器件、硅基CMOS ， 实现更高效的电源技术 ， 从而以更低损耗、更高速度为CPU供电 ， 同时减少主板组件和占用空间 。 利用新型铁电体材料 ， 作为下一代嵌入式DRAM技术 ， 可提供更大内存容量、更低时延读写 。
【英特尔|「资讯」Intel工艺取得关键新突破：推动摩尔定律继续发展】
最后基于硅晶体管的量子计算、室温下进行大规模高效计算的全新器件 ， 未来有望取代传统MOSFET晶体管 。 比如全球首例常温磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件 ， 未来有可能基于纳米尺度的磁体器件制造出新型晶体管 。 Intel和比利时微电子研究中心(IMEC)在自旋电子材料研究方面的进展 ， 使器件集成研究接近实现自旋电子器件的全面实用化 。 完整的300毫米量子比特制程工艺流程 ， 不仅可以持续缩小晶体管 ， 还兼容CMOS制造流水线 。
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