【5G|英特尔展示三个关键领域创新 封装密度提升10倍以上】
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在日前举行的2021?IEEE国际电子器件会议(IEDM)上 ， 英特尔分享了在三个关键领域的创新：第一 ， 为提供更多晶体管的核心微缩技术;第二 ， 在功率器件和内存增益领域提升硅基半导体性能;第三 ， 探索物理学新概念 ， 以重新定义计算 。 同时 ， 英特尔表示将通过技术创新与突破不断推动摩尔定律 ， 将其延续至2025年及更远的未来 。
英特尔介绍到 ， 通过混合键合(hybrid?bonding)解决设计、制程工艺、组装等难题 ， 将封装的互连密度提升10倍以上 。
早在今年7月份 ， 英特尔便公布了该公司有史以来最详细的制程工艺、封装技术路线图 ， 推出了Foveros?Direct封装技术 。 Foveros?Direct实现了向直接铜对铜键合的转变 ， 达成低电阻互连 。 而且 ， Foveros?Direct实现了10微米以下的凸点间距 ， 使3D堆叠的互连密度提高了一个数量级 。
与此同时 ， 英特尔也展望其GAA?RibbonFET(Gate-All-Around?RibbonFET)技术 ， 通过堆叠多个(CMOS)晶体管 ， 将晶体管微缩面积提升30%至50% ， 进而实现单位面积内容纳更多晶体管 。
此前英特尔也曾介绍 ， 基于FinFET晶体管优化 ， Intel?7与Intel?10nm?SuperFin相比 ， 每瓦性能将提升约10%-15% 。 随着12代酷睿台式机处理器的发布 ， 作为首批采用Intel?7的产品 ， 从中也能倾听到英特尔的怒吼 ， 配合上异构架构、英特尔硬件线程调度器 ， 真的强 。
因此在英特尔推进制程工艺、封装技术创新的同时 ， 也将实现计算力的突破 。
值得一提的是 ， 即使未来进入埃米时代 ， 摩尔定律也不会过时 。 英特尔已经在为摩尔定律进入埃米时代铺平道路 ， 在英特尔的前瞻性研究中展示了如何克服传统硅通道限制 ， 用仅有数个原子厚度的新型材料制造晶体管 ， 实现在每个芯片上增加数百万晶体管数量 。
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