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【芯片|激动人心,国产高速充电芯片突破并量产,手机进入光速秒充时代】
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随着中美科技战打响 , 几乎在一夜之间 , 中国半导体产业发展现况就被一下子摆到了台面上 , 有数据显示 , 2018年中国芯片消费量就已经占到了全球的33% , 而根据2020年IC Insights发布的数据显示 , 中国大陆IC产量仅占全球的15.9% 。
众所周知 , 我国是智能手机生产大国 , 对不同功能芯片的需求量是非常大的 , 由于我国半导体技术起步得比较晚 , 也导致了一些制程不是很高的芯片依然要受制于人 , 就比如电源管理芯片在我国需求量就非常大 , 只要涉及到有电能存储的智能设备 , 都会用到此类芯片 , 我国早期智能手机上的电源管理芯片都是依赖于进口的 , 但是随着某些国家贸易保护抬头 , 我国随之也掀起了一股半导体自主研发热潮 , 以减少核心芯片受制于人的局面 。
其中最为耀眼的要数上海南芯半导体科技 , 早在2016年就成功研发了业界上第一颗支持Type-C Power Delivery协议的升降压充放电芯片SC8801 , 一度解决了提升移动电源输出效率难题 , 并成功量产 , 几年时间南芯多个型号的电源管理芯片成功进入到智能设备供应链 , 比如华为、OPPO、三星、海翼和欣旺达等知名厂商 。
2021年 , 南芯又推了出手机界功率最大和效率最高的单芯片120W超高压电荷泵充电芯片SC8571 , 这也是目前在智能手机上唯一单芯片可以支持到120W的充电芯片 , 根据南芯提供的资料显示 , 如果采用2颗SC8571并联方案功率最高可以达到160W , 如果采用3颗SC8571并联 , 则可以实现最高200W的充电功率 。
根据南芯最新消息 , 国产手机“真我 GT Neo 3” 就搭载了南芯半导体 SC8571 超高压电荷泵快充芯片 , 这也是世界上首款充电速度最快的智能手机 。
那么 , 这款搭载有南芯超高压电荷泵快充芯片的GT Neo 3 , 充电效率表现到底如何呢?根据realme官网显示 , 真我 GT Neo3充电部分是基于UDCA架构 , 拥有双电荷泵芯片并联技术 , 充电转化率高达98% , 充电5分钟就可以达到50%的电量 , 13~15分钟即可满电 , 极大的缩短了充电等待时间 , 有效的解决了用户续航焦虑 。
除此之外 , 真我 GT Neo3还配有独立的充电控制芯片 , 支持电压检测和异常一键断电、电池寿命保护等38道安全防护 。
说到真我 GT Neo 3 , 小编在这里有必要多一嘴 , 因为昨天我发了篇关于“真我 GT Neo 3”的微头条 , 居然有人不知道这是什么品牌 。
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