|华为正式官宣！外媒：确实大意了！
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半导体行业是高度资本密集、技术密集型产业 ， 想要在半导体领域脱颖而出 ， 需要具有良好的原始资源积累 ， 只有这样 ， 才有希望快速地在产业中形成规模效应 。
但中国在这一领域明显存在不足 ， 多年的技术落后 ， 导致整个产业链明显落后于欧美 ， 正因为这样 ， 华为才会在美方调整芯片规则之后停下海思芯片的生产计划 。
毕竟台积电无法自由出货后 ， 相当于掐断了华为海思芯片的生产渠道 ， 不过华为从来没有放弃自研芯片的计划 ， 尽管海思芯片已经停止生产了 ， 但整个研发团队还保留着 。
华为轮值CEO徐直军曾表示 ， 华为对海思没有盈利诉求；任正非也表示 ， 没有海思华为将寸步难行 。 从华为核心管理层的态度不难看出 ， 华为绝不会放弃海思团队 。
好在功夫不负有心人 ， 华为似乎已经找到了绕开EUV光刻机生产高性能芯片的方案 ， 从前不久华为发布的2021年报中 ， 就可以了解到华为的下一步动向 。
华为轮值董事长郭平在谈及芯片问题时表示 ， 华为未来可能会采用多核结构 ， 用堆叠、面积来换取芯片的性能 。
而现在 ， 这种多核堆叠结构已经被公布了 ， 华为公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利 ， 该专利于2019年9月提出申请 ， 能够在保证供电需求的同时 ， 解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题 。
硅通孔技术作为一种高密度封装技术 ， 可以让晶体管集成度更高 ， 带来更强的性能表现 ， 但较高难度的工艺 ， 弊端是需要采用极紫外光EUV光刻机 。
而EUV光刻机的价格是相当昂贵的 ， 生产效率也很低 ， 直接导致芯片制造的成本过高 ， 再加上只有ASML可以提供EUV光刻机 ， 所以华为才考虑其它方案 ， 以规避EUV光刻机被卡脖子的问题 。
华为这次对外公布的“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利 ， 就能够有效地绕开EUV光刻机的问题 ， 这是一种采用面积换性能、用堆叠换性能的方案 ， 可以实现低工艺制程追赶先进工艺的可能 。
其实在华为之前 ， 苹果推出的M1 Ultra就是将两块M1Max拼接在一起 ， 通过“多核”结构形成一颗芯片 ， 性能也成倍提升 ， 在如此短的时间内 ， 就做出了比英特尔和AMD更优秀的芯片 。
还有光刻机大厂佳能公司也传来了新消息 ， 据悉该公司正在开发一种3D光刻机 ， 明显是为了抢占先机 ， 因为EUV光刻机的弊端和客户的需求 ， 已经非常明显了 。
由此可以看出 ， 华为的这套方案是完全可行的 ， 也是可以期待的未来发展方向 。 就在华为公布该发明专利之后 ， 外媒也纷纷表示：ASML大意了 。
因为业界已经意识到了一个问题 ， 就是ASML所生产的EUV光刻机 ， 未来将不再是提升芯片性能的唯一途径 ， 通过用面积换性能、用堆叠换性能的方案 ， 也可以做出性能很强的芯片 。
如此一来 ， 华为不用最先进的制程工艺 ， 也同样能够实现芯片性能升级的目的 ， 所以才会有外媒感叹道：ASML确实大意了！
这对于ASML来说确实不是好消息 ， 因为ASML一直致力于提升光刻机工艺这条赛道 ， 但如今正在被其它企业颠覆 ， 摩尔定律也在失效 ， 一切或许都会朝着另一个方向发展 。
当然从短期来看 ， ASML生产的EUV光刻机现在依然有它的优势 ， 未来也必定会有它的市场 ， 毕竟前面已经提到 ， 华为的这种方案是面积换性能、堆叠换性能 ， 也就是会牺牲面积和空间 。
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