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三星 Z Flip 4 电池容量增加
据报道 ， 三星将在今年下半年发布纵向折叠屏旗舰 Galaxy Z Flip4 。
Galaxy Z Flip4 型号为 SM-F721 ， 机身内部配备两块电池 ， 型号分别是EB-BF721ABY和EB-BF722ABY ， 一块容量为2400mAh ， 一块为903mAh ， 电池容量典型值 3400mAh ， 比上一代 Galaxy Z Flip3 多了 100mAh 。 三星 Galaxy Z Flip4 将搭载高通骁龙 8 Plus 处理器 。
外媒提到 ， 他们在测试 Galaxy Z Flip3 时就发现 ， 电池续航是该机的一大短板 ， 甚至在轻度使用下都坚持不了一天时间 ， 因此 Galaxy Z Flip4 的续航令人担忧 。 （来源：快科技）
中兴 Axon40 渲染图曝光 今日 ， 中兴官方预热称 ， 中兴 Axon 40 系列配备了一颗独立安全芯片 ， 可提供硬件级保护 。 Axon 40 Pro 还配备了一亿像素高清主摄 ， 而 Axon 40 Ultra 为 3 颗 6400 万像素镜头 。
此外 ， 拼多多似乎提前曝光了这款新机的外观 ， Axon 40 Ultra 拥有两款配色 ， 后置竖排三摄 ， 屏幕边框看起来非常窄 。
此前 ， 数码博主 @熊猫很禿然 放出了号称 Axon 40 屏下版的真机图 ， 从图中可以看到该机的屏幕效果 ， 屏下前摄在斜看的角度下完全看不出来 。 他表示 ， 中兴 Axon 40 屏下版额头收的很窄 ， 视觉无边框 ， 再加上前摄已完全看不出 ， 整个视觉效果拉得很满 。
中兴 Axon 40 系列新品发布会将于 5 月 9 日召开 ， 发布新一代屏下摄像头系列手机 。 （来源：IT之家）
传三星 3nm 工艺先于台积电投产
据报道 ， 三星在对投资人释出的最新简报中透露 ， 旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产 ， 进度比台积电更快 ， 力图弯道超车 ， 正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战 。
台积电先前于法说会上指出 ， 采用 FinFET 架构的 3nm 依原规划在下半年量产 ， 将是“下个大成长节点” 。
业界人士分析 ， 三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时 ， 但从晶体管密度、效能等层面分析 ， 三星的 3nm 对应台积电的 4nm ， 以及英特尔的 Intel 4 制程相当 。
三星表示 ， 相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程 ， 新的 3nm 制程所生产的芯片 ， 可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作 ， 使整体耗电量降低 50% ， 效能提升 30% ， 芯片体积减少 45% 。
【英特尔|新机：传苹果新机支持体温检测；小米12 Ultra设计曝光】
关于良率 ， 业界传出 ， 目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头 ， 但未获三星证实 。
另外 ， 台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局 ， 预期 2024 年风险试产 ， 目标 2025 年量产 ， 看好 2nm 将是业界最领先 ， 且是支持客户成长最适合的技术 。 （来源：IT之家）
小米12 Ultra 最新渲染图
近日 ， 有数码博主晒出了一组新的小米 12 Ultra 外观渲染图 。
据数码博主 @数码闲聊站 最新发布的信息显示 ， 与此前曝光的消息基本一致 ， 全新的小米 12 Ultra 正面将采用主流的居中开孔全面屏 ， 不出意外的话采用微曲面屏设计 ， 边框控制得非常出色 ， 有望带来出众的视觉冲击力和手感 。 而其最大的亮点则在于机身背部 ， 该机将配备硕大的后置相机模组 ， 面积几乎占据了背部的一半 ， 采用多层结构 ， 底层为大面积方形底座 ， 上方为“奥利奥”造型镜头模组 ， 内部包含四颗摄像头 ， 其中还有一枚潜望式长焦镜头 ， 并将与徕卡联合调教 ， 综合实力值得期待 。
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