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集微网消息 ， 国家知识产权局网站日前公布荣耀终端有限公司纳米线晶体管技术专利申请 。
申请书内容介绍称 ， 随着晶体管特征尺寸不断减小 ， 传统MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱 ， 造成严重的漏电流 。 纳米线（nanowire）场效应晶体管因具有更小的尺寸、更好的栅控特性以及较小的亚阈值摆幅 ， 能够在提高芯片集成度的同时 ， 提高晶体管的性能 。 然而采用现有工艺制作的纳米线非平面内生长 ， 难以实现大规模生产 。
荣耀公司申请的专利技术用于在平面内生长纳米线 ， 纳米线嵌入衬底上的沟槽 ， 槽壁具有导向作用 ， 使纳米线可以沿槽壁的延伸方向生长 ， 有利于电子器件的大规模制作和集成 。
集微网查询发现 ， 该专利第一发明人余林蔚目前任职南京大学教授、博士生导师 ， 学术研究方向为三维生长集成存算一体构架及GAA-FET器件工艺、可拉伸晶硅电子逻辑、传感和柔性显示等 ， 在纳米线生长控制领域开展了一系列原创性工作 。 （校对/Aileen）
【纳米|荣耀终端有限公司纳米线晶体管专利申请日前公开】
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