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要想生产制造芯片 ， 就必须得有光刻机 ， 因为其是生产制造芯片的必要设备 。
全球范围内 ， ASML的光刻机技术最为先进 ， 其生产制造的DUV光刻机和EUV光刻机几乎占领了中高端市场 ， 更是生产制造28nm以下芯片的必要设备 。
但由于芯片等规则被修改 ， 结果导致台积电、ASML等企业均不能自由出货 。
要知道 ， 海思芯片都是台积电代工生产制造的 ， 台积电不能自由出货 ， 海思系列芯片就暂时无法生产制造 。
ASML也不能自由出货 ， 华为想用ASML的设备自建生产线也难 。
在这样的情况下 ， 华为开始全面进入芯片半导体领域内 ， 不仅自研更多种类的芯片 ， 还要在新材料和终端制造方面实现突破 。
早些时候 ， 华为方面正式对外表示没有计划自建芯片生产线 ， 因为其涉及的产业链过于庞大 ， 没有任何一个厂商可以做到 。
但就芯片问题 ， 华为也道出了解决办法 。
华为方面称芯片等规则被多次修改 ， 已经让产业链看清楚的情况 ， 未来三五年 ， 必然会有新的芯片产业链出现 ， 届时 ， 华为芯片问题也随之解决 。
从华为给出的说法来看 ， 这是绕过ASML ， 直接通过产业链突破的方式解决芯片问题 。
简单说就是 ， 华为将芯片问题的希望放在芯片产业链上 ， 国内芯片产业链突破了 ， 华为芯片问题就随着解决 ， 或者说其它企业采用了非美技术打造的芯片技术等 。
当然 ， 华为之所以这么做 ， 主要是因为芯片研发投资实在太大了 ， 关键是产业链太长 ， 即便是华为从头开始做 ， 基本上也是出力不讨好 。
因为华为缺少的是先进制程的芯片高端芯片 ， 而这些芯片制造基本上都离不开ASML的EUV光刻机 ， 但ASML不能自由出货 ， 连外企中国分厂出货都不行 。
当然 ， 除了光刻机之外 ， 还有其它因素的影响 ， 像EDA软件、芯片制造所需要的原材料以及其它技术等 。
中芯国际都表示 ， 想要在10nm以下芯片上实现突破 ， 这是比较难的 。
所以华为换个了一个赛道 ， 其通过哈勃不断投资国内相关芯片产业链 ， 目的就是加速产业链突破 ， 毕竟 ， 术业有专攻 。
另外 ， 华为自身也在研发相关芯片技术 ， 主要集中在两点 。
第一点 ， 堆叠技术芯片 。
堆叠技术芯片并非什么先进的技术 ， 该技术早就出现了 ， 不同的是 ， 过去主要都是英特尔、AMD等厂商在用 ， 而堆叠技术的芯片往往也是用在超级计算机等大型设备上 。
如今 ， 苹果推出了堆叠技术芯片 ， 并将该芯片带到了消费者市场 ， 这让华为看到了在消费者市场使用堆叠芯片的希望 。
华为自身都表示未来将会采用堆叠技术的芯片 ， 让华为产品也有高性能芯片可用 。
第二点 ， 光电芯片 。
光电芯片是完全可以绕开美技术的芯片 ， 任正非也明确表达了这一观点 ， 所以华为早就计划在英投资超10亿英镑建设研发中心 ， 主要就是研发光电芯片 。
当然 ， 华为目前在光电芯片领域内处于领先地位 ， 但华为研发光电芯片并不仅仅是为了彻底打破美芯的限制 ， 也是因为光电芯片属于下一代芯片技术 。
数据显示 ， 相比传统的硅芯片而言 ， 光电芯片拥有更快的传输速度、更大的传输量 ， 其更适合万物联网和光通讯 。
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