笔记本|2025超越:英特尔表示摩尔定律回来了

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外媒报道 , 摩尔定律是英特尔联合创始人戈登-摩尔(Gordon Moore)提出的衡量处理器稳定进步的标准 , 近年来受到了打击 。 但随着新的芯片制造技术的出现 , 它正在卷土重来 , 英特尔首席执行官Pat Gelsinger周三说 。
\"摩尔定律还活着 , \"Gelsinger在公司的在线创新活动上说 。 \"今天我们预测 , 我们将在未来十年内保持甚至超过摩尔定律的速度 。 ... 我们作为摩尔定律的管家 , 将在创新的道路上坚持不懈地努力 。 \"
2024上半年RibbonFET的晶体管密度
这是一个大胆的声明 , 因为在过去五年左右的时间里 , 该公司一直在努力推进其芯片制造 , 并将其领导地位输给了其他两家顶级芯片制造商--台湾半导体制造有限公司和三星 。 这表明英特尔愿意为夺回其地位而战 , 并试图为缺乏活力的处理器业务注入新的活力 。
严格来说 , 摩尔定律源于摩尔在1965年的观察(1975年有所更新) , 即处理器上的晶体管数量每两年增加一倍 。 这不是一条物理定律 , 而是反映了微型化的经济性 。 通过改进制造工艺 , 更多的电路可以建在芯片上 , 使其功能更强大 , 为下一轮创新提供资金 。
但是 , 随着研究和制造的成本越来越高 , 微型化已经摇摇欲坠了 。 芯片元件正在达到原子尺度 , 而功耗问题限制了使芯片处理步骤步步为营的时钟速度 。
因此 , 人们现在经常用摩尔定律来指代性能和功耗方面的进步 , 以及将更多的晶体管更密集地封装在芯片上的能力 。
成功将意味着英特尔只是赶上了对手 , Gelsinger承诺这一时刻将在2024年发生 。 英特尔努力从14纳米制造工艺转向10纳米工艺 , 而台积电和三星则更好地保持了进展 。
不过 , Gelsinger指的是传统的定义 , 指的是处理器上的晶体管数量--尽管这种处理器可能是由几片硅片组成的单一封装 。 \"他说:\"我们希望能以比每两年翻一番的速度弯曲曲线 。
除了封装之外 , Gelsinger还指出了两项主要的发展 , 他预计这将有助于英特尔重新夺回其领先地位 。 首先是RibbonFET , 这项技术更广泛地被称为Gate all around , 或GAA 。 它对晶体管进行了改造 , 使电流在完全被栅极材料包围的薄带状半导体堆中流动 , 从而实现电流的开启和关闭 。
其次是英特尔的PowerVia , 更广泛地称为背面供电 。 这为芯片制造增加了新的处理步骤 , 但意味着晶体管从一侧吸取电能 , 同时在另一侧连接到数据通信链路 。 今天的芯片试图把两种功能都塞进一面 , 增加了复杂性 , 限制了小型化 。
同样关键的是采用EUV芯片制造设备 , 该设备使用较小波长的光将晶体管电路蚀刻在硅片上 。 升级是非常昂贵的 , 台积电和三星在向EUV的转变中击败了英特尔 , 但升级后的设备简化了原本需要更多步骤的制造 。
英特尔还承诺在以后升级到高数值孔径EUV时成为第一人 。 这是英特尔在2024年追赶台积电和三星之后 , 在2025年超越它们的计划中的又一步 。
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