NAND flash和NOR flash的区别在于NOR的读速度比NAND稍快一些 。NAND的写入速度比NOR快很多 。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快 。大多数写入操作需要先进行擦除操作 。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 。
【nand 南大碎尸案】NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显 。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力 。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据 。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量 。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入 。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS 。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D 。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接 。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后(例如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1 。
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