台积电的转变 ， 很难说是不是受到三星的刺激 。 但可以肯定的是 ， 台积电MRAM所受到的威胁 ， 绝不仅仅来自于三星 。 一直以成熟制程代工为主的格芯 ， 在MRAM的技术积累上 ， 意外地与三星、台积电“齐头并进” ， 甚至有领先的趋势 。
2017年 ， 时任格芯首席技术官的Gary Patton透露 ， 公司已在22nm制程的FD-SOI工艺技术（22nm FDX）中提供了MRAM ， 这让其成为少数几家公开宣布在2017年底前至2018年量产MRAM的代工厂之一 ， 也成功吸引了意法半导体的注意 。
2018年1月 ， 意法半导体公司选定格芯22nm FDX技术平台 ， 为其新一代工业和消费应用的处理器解决方案提供支持 。 在此之前 ， 意法半导体提供的FD-SOI已成功帮助三星生产了eMRAM ， 这更加意味着格芯的MRAM技术 ， 或许比想象得更加领先 。
在随后的2019年 ， 格芯正是宣布其基于22nm FDX平台的eMRAM投入生产 。 可将数据保持在-40到+125°C的温度范围内 ， 寿命周期可以达到100000 ， 数据保留时间达到10年 。 格芯当时还表示 ， 正与多个客户合作 ， 计划在2020年安排多次流片 。
此外 ， 近期意图重拾代工大业的英特尔 ， 也对MRAM有所准备 ， 其于2018年首次推出了一款基于22nm FinFET制程的STT-MRAM ， 并透露 ， 其eMRAM技术可在200℃下实现长达10年的记忆期 ， 并可在超过106个开关周期内实现持久性 。
由此 ， 全球代工前四大巨头均已做好MRAM起跑姿势 ， 在台积电意外丧失先发优势、三星和格芯拿下主动权的背景之下 ， 未来竞争格局如何 ， 变得更加扑朔迷离 。
写在最后
今年8月 ， 笔者曾就一则“MCU转向28nm制程”的传闻向业内人士求证（详见：《【芯观点】MCU要转28nm？两大矛盾待厘清》） ， 当时某国内代工厂技术高层即表示 ， eFlash技术是MCU向前推进的最大阻碍 。
在这种前提下 ， MCU在短期内转向28nm甚至是更先进制程的可能性变得更加虚无缥缈 ， 这也意味着 ， MCU将在未来几年继续占用成熟制程的一大部分产能 ， 而掌握大部分产能的六大原厂可能继续“稳坐钓鱼台” 。
然而 ， MRAM的技术突破成为了最大变数 。 若三星确实拿下意法半导体16nm MCU订单 ， 那意味着MCU将不再仅限于成熟制程 ， 同时也意味着 ， 在更先进制程的MCU领域 ， 代工厂与原厂的联系将更加紧密 ， 而台积电的MCU第一代工厂地位 ， 也将受到挑战 。
（校对/holly）
【三星|【芯观点】三星16nm MCU凭什么赢过台积电？】
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