【mosfet是什么意思】功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点 。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中 。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置 。
电力场效应管的结构和工作原理
电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分 。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型 。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别 。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件 ， 导电沟道平行于芯片表面，横向导电 。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力 。按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET 。
电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成 。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示 。电气符号 ， 如图1(b)所示 。
电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G 。当漏极接电源正 ， 源极接电源负时 ， 栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止 。如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT ， 则管子开通 ， 在漏、源极间流过电流ID 。UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大 。
