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芯片|小米自研芯片被骂贴牌，官方实锤来了( 二 )

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小米表示 ， 过去的单电芯快充体系中 ， 要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压 ， 需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路 。
大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量 ， 实际使用中完全无法做到长时间满功率运行 ， 更难以做到 120W 高功率快充 。

驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1 。 它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构 ， 将输入手机的高压电能 ， 更高效地转换为可以直充电池的大电流 。
澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片 ， 拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构 ， 谐振拓扑效率高达 97.5% ， 非谐振拓扑效率为 96.8% ， 热损耗直线下降 30%。

澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通） ， 而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式 ， 并且所有的模式都需要支持双向导通 。
这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍 。
正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高 ， 正向 2:1 模式可兼容更多充电器 ， 正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充 ， 反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电 。

澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片 ， 可做到 0.83W /mm2 超高功率密度 ， LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm2 RSP 。
而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容 ， 每颗电容需要独立的开短路保护电路 ， 而每种工作模式又需要严格控制预充电压 ， 功率管数量接近传统电荷泵的两倍 。
并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升 ， 每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试 ， 远高于传统电荷泵 。

虽然说了很多专业术语 ， 但用户只需要明白它的主要优势有这些：
澎湃 P1 充电芯片实现了有线 120W 、无线 50W 的充电速率 ， 同时还支持 10W 无线方向充电 。
并且它是单电芯 ， 相比于双电芯 ， 它的空间利用率更高 ， 同等体积下电池容量更大 ， 利用控制机身厚度 ， 温控方面 ， 也能得到进一步降低 。
所以作为国产的小米 ， 这点上研发实力非常值得肯定 。 至此 ， “小米澎湃 P1 芯片是买来的” 这件事 ， 不攻自破 。
事件的最后 ， 发文的博主目前也已经删除微博 ， 网友们在这件事上也纷纷表示支持小米 ， 支持国产自主研发的实力 。

这件事也告诉大家一个道理 ， 没有经过论证和官方发表声明的消息 ， 经不起推敲和传播 。
果子相信盲目跟风的网友们 ， 大多数只是吃风凑热闹 ， 但有句话说的好 —— 谣言止于智者 ， 盲目跟风只会显得自身无知 。
所以面对这类事情 ， 一定要理性看待 ， 不信谣 ， 不传谣 。 因为有原则有底线的人都不会无事生非 。 而跟风者 ， 是压死受害者身上的最后一根稻草 。
一件事一旦一传十 ， 十传百之后 。 网友就会从吃瓜群众的角色演变成有利可图的人手中的棋子 。



而事情在经过未经证实、不明不白的添油加醋后 ， 原来的真相与本质 ， 就会被深盖淹没 。 到了最后 ， 事件主角成了最大的受害者 ， 遭受了不可逆的伤害与损失 。
前阵子 “刘学州” 网暴自杀事件足以给我们敲响警钟了 。
小米虽然是一家科技公司 ， 不是单体的个人 。
但造谣这种事件 ， 无论是对个人、团体、还是公司 ， 都绝对不可取 ， 因为他们理应得到尊重 。
图片及资料来源:
【芯片|小米自研芯片被骂贴牌，官方实锤来了】[1
IT 之家：网传小米澎湃 P1 芯片并非自研 ， 南芯半导体回应：消息不实https://www.ithome.com/0/602/111.htm

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