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集微网消息（文/思坦） ， 巧或不巧地 ， 3月初 ， 因Apple Silicon分道扬镳的英特尔和苹果 ， “联手”将风光已久的先进封装 ， 再次推上风口浪尖——
先有英特尔联合十大行业巨头官宣通用Chiplet高速互联标准UCIe ， 后有苹果发布史上最强M1 Ultra芯片 ， 最大卖点落于封装架构UltraFusion 。
从本质上来说 ， UCIe是生态层面的统一接口IP标准 ， UltraFusion是物理层面的键合技术 ， 但从目标来看 ， 两者均瞄准于Chiplet“乐高化”的最大痛点——D2D（die to die）互联 。
苹果向左：键合技术硬核推进
如果说Chiplet是大楼 ， 那么接口IP就类似于楼梯间 ， 键合技术则是楼梯 ， 两者结合负责每一楼层（即die）的互联 。 在技术路线尚未统一的当下 ， 各方在实现die to die互联技术的尝试各有不同 。 UCIe联盟中 ， 苹果和英伟达的缺席 ， 或许正代表来了这种分歧 。
作为台积电InFO先进封装解决方案最著名一战的客户方 ， 苹果将其先进封装技术的锚点选在键合技术上 ， 并不难理解 。 根据集微网从厦门云天获得的一份调研报告显示 ， 这个细节被苹果以“采用硅中介层进行互联”一笔带过的UltraFusion封装技术 ， 其中实现的突破 ， 足以带来互联技术的内部地震 。
与此前业内猜测的无凸点键合技术不同 ， UltraFusion仍然建立在微凸点的设计上 ， 但主要做出了下图所示的六大改进 ， 而其中帮助苹果成为业内首个实现GPU裸片互联的最关键在于中介层实现的高密度互联以及Die-Stitching（裸片缝合）技术 。
图源：厦门云天
GPU裸片互联难点在于消耗的内部带宽过高 ， UltraFusion基于台积电第五代CoWoS-S技术 ， 两个裸片通过中介层布线传输超过10000个信号 ， 连接密度是现有技术的两倍 ， 提供的2.5TB/s超高处理器间带宽（是其他互联技术带宽的4倍多）有效解决了带宽问题 。
更大的光罩尺寸也为两颗GPU裸片腾出了空间 ， 据了解 ， 台积电第5代CoWoS-S技术达到了大至三个全光罩尺寸（~2500mm2）的水平 ， 作为对比 ， 英伟达4年前集成了HBM的GPU ， 光罩尺寸仅为815mm2 ， 台积电为此采用了裸片缝合技术 。
目前尚不清楚在UltraFusion上来自苹果的研发占比 ， 鉴于英伟达、AMD预计也将于今年依托于台积电技术推最新一代GPU ， 抢先实现GPU裸片互联的苹果必然有所依仗 。 虽然苹果于去年才获得其第一个先进封装专利 ， 但其与台积电早已携手在这一领域进行研发 ， 对终极技术的追求也比想象的更远 。
无凸点键合是苹果目前仍在追求的技术突破方向 。 厦门云天董事长于大全教授对笔者表示 ， 苹果很早就开始与台积电共同研究无凸点键合方法 ， 主要特征是不再使用后道集成所用的凸点 ， 转而直接将裸片类似于“铜对铜”地堆叠到一起 。 这种方法除了没有“凸点间距”这一紧箍咒外 ， 还能大大降低热阻 。
从C4凸点到无凸点；图源：台积电
【苹果|【芯观点】2.5D/3D封装互联：苹果向左走，英特尔向右走】另外耐人寻味的是 ， 今年以来 ， 苹果官网已发布多条与先进封装相关的职位 ， 其中一个名为“先进封装开发工程师”的职位 ， 要求应聘者有至少10年的晶圆厂集成工作经验 ， 其中至少5年的先进封装工作经验 ， 具有BEoL工艺、RDL、细间距微凸点、混合键合、TSV等裸片互连工艺集成经验 。
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