USB|华为最新专利曝光:性能加倍之下或将成为芯片突破口

USB|华为最新专利曝光:性能加倍之下或将成为芯片突破口

文章图片

USB|华为最新专利曝光:性能加倍之下或将成为芯片突破口

文章图片

USB|华为最新专利曝光:性能加倍之下或将成为芯片突破口


华为
“4月5日华为申请的一种芯片堆叠封装及终端设备的专利获得了通过 , 这也让人再次对麒麟芯片的发展产生了联想” 。

华为芯片堆叠相关专利
在麒麟芯片受到限制而导致供货不足之后 , 华为智能手机在全球市场上的份额也随之一落千丈 , 从2020年第二季度全球第一的19.6%下滑到如今的不足3% , 由此也让人愈发重视芯片行业的地位 。
但是受制于缺少EUV光刻机以及产业链 , 华为在芯片领域的探索同样举步维艰 , 在遭到封锁3年之后国内最先进的中芯国际依然受困于14nm制程 , 短时间内看不到突破至5nm的希望 。
在芯片制程难以取得突破的现在 , 选择芯片堆叠也是一条确实可行的道路 。 其实不只是华为 , 台积电也在芯片堆叠上投入了不小的研发精力 , 在4nm以下制程的突破难度越来越大的前提下 , 通过3D WoW硅晶圆堆叠技术台积电可以通过将两片4nm芯片堆叠从而提高晶体管密度 , 最终实现4nm+4nm>3nm也是一条可行的方案 。

麒麟芯片
这条道路对华为同样适用 , 通过将14nm芯片进行堆叠 , 进而取得14nm+14nm>7nm的效果 , 在芯片制程受阻的现在也确实是一条可行的道路 。
但是选择这种芯片堆叠方案同样也存在风险 , 虽然通过设计逻辑和封装工艺通过增加晶体管密度 , 间接实现了低端制程向高端制程的迈进 , 但是这种方案也留下了三个隐患 。 首先一个是散热 , 这种将14nm堆叠成7nm的工艺简单理解就是用2块14nm堆叠在一起来达到7nm的晶体管密度 , 伴随着密度的增加发热量自然而然就接近14nm的两倍 。 这个问题必须通过更优秀的设计以及3D封装来规避 。

华为海思?
其次则是功耗 , 通过堆叠低端制程来实现高端制程必然会带来功耗的显著上升 , 对于手机这一本来散热就有限的设备来说 , 功耗的增加也是一个难以忽视的问题 。
最后则是成本的问题 , 这种通过堆叠多个14nm芯片进而曲线实现7nm性能的方法不但意味着芯片成本的显著上升 , 同时对于IC设计、封装也有更高的要求 , 最终导致的结果可能就是堆叠版本的麒麟芯片成本并不亚于普通的7nm芯片甚至更高 。

【USB|华为最新专利曝光:性能加倍之下或将成为芯片突破口】华为麒麟芯片
这虽然是一条艰难的道路 , 但同样也是一条充满希望的道路 。 正像鲁迅先生说过的那样“其实地上本没有路 , 走的人多了 , 也便成了路” 。 华为未必不能通过这种方法走出一条属于自己的道路 , 等到芯片也限制不了的时候 , 那也将是华为重新腾飞的起点 。
如果华为推出堆叠版本的麒麟芯片 , 大家会选择购买吗?欢迎留言讨论 。
本文由大鱼号区块科技首发 , 未经授权请勿转载

    相关经验推荐