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5月13日消息 ， 此前外界有传言称 ， 三星3nm制程工艺遭遇难题 ， 良品率仅有20%~30% ， 可能会拖延量产的进程 。 今天 ， 电子时报最新报道显示 ， 三星3nm制程的良品率问题已得到解决 ， 将按照计划在第二季度开始量产 。
【台积电|想赶超台积电！三星3nm制程工艺即将量产：低良品率问题已解决】
三星在一季度的电话会议上就曾向股东们承诺 ， 3nm制程会按照计划进行 ， 以此来消除股东们对网上传言产生的疑虑和担忧 。 三星表示 ， 目前5nm制程已进入批量生产的成熟阶段 ， 4nm制程产能也在逐步改善 。 公司内部还在改善3nm制程的节点开发体系 ， 每个开发阶段都有一个验证流程 ， 这有助于缩短产能爬坡期 。
3nm制程是台积电与三星都在激烈竞争的一个新节点 ， 也将带给半导体芯片行业又一次性能上的飞跃 。 目前 ， 台积电的3nm制程依旧使用FinFET晶体管技术 ， 而三星则相对激进一些 ， 全球首发更加先进的GAA晶体管技术 ， 希望以此来追赶甚至超越台积电 。
三星介绍称 ， GAA是一种新型环绕栅极晶体管 ， 可显著增强晶体管的性能 。 与7nm制程相比 ， 3nm GAA制程的逻辑面积效率提高45% ， 功耗降低50% ， 性能提高约35% ， 纸面数据是要强于台积电3nm FinFET工艺 。 如果三星3nm GAA工艺的表现能达到理想水平 ， 功耗、产能问题都能得到妥善解决 ， 那真的有机会一举追上台积电 。
在芯片代工市场 ， 三星和台积电已经是多年的老对手了 。 一直以来 ， 台积电都领先三星一头 ， 特别是在7nm、5nm等先进工艺时代 ， 台积电的优势更为明显 ， 几乎垄断了全球先进工艺的产能 ， 高通、AMD、联发科等都与台积电达成合作 ， 苹果更是成为台积电的最大客户 。 按照计划 ， 台积电3nm工艺会在今年第四季度量产 ， 而英特尔可能会拿下首发 。
由于7nm、5nm工艺上的失利 ， 三星决定押宝更先进的3nm GAA制程工艺 。 不仅比台积电更早进行技术研发 ， 连量产日期也比台积电早半年左右 。 前阵子有消息称 ， 高通、AMD等品牌已经与三星达成合作 ， 很可能会首发3nm制程工艺 。 希望三星这次能带给大家更多惊喜 ， 在3nm制程上一鸣惊人吧 。
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