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近日 ， 有消息称 ， 国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3DNAND闪存芯片 。 而预计在2022年底或2023年初 ， 会实现232层堆叠的3DNAND闪存技术 。
这意味着国内存储芯片厂商 ， 终于追上三星、美光了 。 要知道美光是前不久才发布了业界首个232层堆栈的3DNANDFlash芯片 ， 而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了 。
而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3DNAND闪存芯片 ， 而大规模应用也要到2023年去了 。
可见 ， 国产存储芯片 ， 在技术上确实已经追上了三星、美光这样的顶级大厂 ， 大家差不多处于同一水平线了 。
而仔细说起来 ， 国产存储芯片从之前的落后20年 ， 到现在追上顶级水平 ， 其实只花了6年时间 。
长江存储是2016年成立的 ， 总投资1600亿元 ， 预计建设目标是总产能30万片/月 ， 年产值将超过100亿美元 ， 拿下全球20%以上的市场份额 ， 成为全球知名的NAND闪存厂商 。
而2016年时 ， 国内在存储芯片上基本一片空白 ， 落后国外水平至少是20年以上 。 所以很多人并不看好长江存储 ， 觉得可能需要很久的时候 ， 才有可能追上三星、美光等 。
不曾想长江存储进度非常快 ， 2017年就研制成功了中国第一颗3DNAND闪存芯片 ， 然后在2018年实现了量产 ， 虽然落后国外很多 ， 但有了0的突破 。
后来长江存储又自研出了Xtacking架构 ， 大幅度的提高了存储密度 。 并在2019年9月份 ， 基于自研Xtacking架构 ， 推出了64层3DNANDFlash ， 拉近了与三星、美光之间的差距 。
接着长江存储实现了跳跃式发展 ， 跳过了96层 ， 直接在2020年4月 ， 发布了128层3DNAND闪存 ， 再次缩小与三星、美光的差距 。
并且基于Xtacking架构 ， 长江存储128层堆叠的NAND闪存芯片 ， 其存储密度达到了8.48Gb/mm ， 远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂 。
可能很多人不理解 ， 堆叠层数多少有什么意义？在存储芯片领域 ， 堆叠层数越高 ， 意味着工艺越先进 ， 意味着存储密度越高 ， 芯片的成本越低 ， 尺寸越小 。
大家原本以为 ， 长江存储从128层跨越到232层 ， 可能需要几年时间 ， 不曾想在美光、三星进入232层时 ， 长江存储马上也追了上来 。
而按照机构的数据 ， 2021年 ， 国产存储芯片的市场份额为4% ， 而2022年可以达到7%左右 ， 而2023年预计会达到12-15% 。
这也就意味着 ， 长江存储真的花了6年多一点的时间 ， 就把原本落后至少20多年的存储芯片技术 ， 追了上来 ， 市场也是飞速增长 ， 这实在是太牛了 。
【华为|存储芯片从落后20年，到追上三星、美光，中国厂商只花了6年】而长江存储也给大家证明了一个事实 ， 那就是只要认真扎实去研发 ， 芯片技术一样难不倒我们 。
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