光刻机|外媒:国产光刻机提前了?

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光刻机|外媒:国产光刻机提前了?

【光刻机|外媒:国产光刻机提前了?】芯片能够一直向微缩方向前进 , 5nm工艺量产后 , 还能继续向3 nm、2 nm发展 , 光刻机功不可没 。 尤其是EUV光刻机 , 更是高端制程芯片制程中最关键的核心设备 。
可以说 , 光刻机决定了芯片工艺的技术水平 。 我们要在芯片上不被卡脖子 , 就必须突破光刻机 。 其实 , 相关机构也一直在努力 , 近日又传来了国产沉浸式光刻机消息 。

光刻机按光源来分 , 主要有极紫外EUV、深紫外DUV和紫外UV三类 , 基本就是高端、中端和低端 。 低端的i线和g线等光刻机我们已经实现国产 , 高端EUV也在努力 。

目前 , 国产光刻机还处于DUV阶段 。 而DUV光刻机也分三类 , 即KrF、ArF、ArFi 。 前两种已经突破 , 国产最高可做到90nm , 可满足国内重要机构使用 , 不受国外限制 。
那么 , 现在我们正在努力的就是ArFi光刻机 ,多出的这个i代表加入了沉浸式技术 。

这个技术相当了不得 , 这是ASML能够超过原来的光刻机巨头尼康和佳能的关键 。 当时光刻机最高做到193nm波长 , 也就是ArF光刻机 , 再往下突破就遇到了瓶颈 。

尼康和佳能当时坚持继续原来的干式技术 , 而此时台积电专家林本坚提出了一种沉浸式技术 , 即通过水为介质实现更短波长 , 即湿式技术 , 但尼康和佳能根本没理会 。
而当时还较弱的ASML却大胆采用了这技术 , 从此实现超越 , 获得了较大的市场 。

因此 , ArFi沉浸式光刻机是个关键节点 。 一旦能够实现突破 , 那么就等于迈进了DUV光刻机中的高端行列 , 尽管只是入门级别 , 但再往下更新迭代 , 就会非常容易了 。

那么 , 目前国产沉浸式光刻机的研发进展如何呢?之前有消息表示 , 将于今年年底前交付 。 最近又有相关媒体爆料 , 国产沉浸式光刻机已实现突破 , 将会很快到来 。
对此 , 有外媒表示 , 不是年底前吗 , 难道提前了?具体情况会不会真的如此呢?

首先 , 国产核心部件陆续突破ArFi沉浸式光刻机最关键的就是这个沉浸式技术 , ArF波长为193nm , 加入沉浸式技术后就可以达到134 nm , 波长越短光刻机就越先进 , 比如EUV波长是13.5 nm 。
近日好消息传来 , 中企在浸液控制系统上取得了重大突破 。 浸液系统是浸没式光刻机的四大核心部件之一 , 这就解决了国产ArFi沉浸式光刻机的几大核心技术之一 。
还有双工件台、曝光光学系统、投影物镜等也都已突破 , 目前应该是在合围磨合 。

其次 , ASML行动有相关征兆对于国产先进光刻机的进展 , 恐怕ASML了解的更透彻 , 毕竟人家才是专业的 。 因此 , 从ASML的近期行动 , 我们可以看出征兆 。 对于国产光刻机 , 已改口不是不可能 。
最近有个大的变化就是 , 今年第一季度 , 我们大陆成了ASML的第一大出货地 , 占比高达34% 。 这说明 , ASML在有意向大陆加大光刻机出货量 , 这极有可能在倾销 。

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