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随着第12代酷睿Alder Lake系列、AMD锐龙6000系列移动处理器的广泛采用 ， 越来越多的笔记本电脑开始采用DDR5笔记本内存 。 因此为了帮助笔记本电脑获得更好的性能或者更大的容量 ， 内存厂商也开始推出DDR5 SO-DIMM笔记本内存新品 ， 如本次将要测试的这款英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存16GB套装产品 。
与标准的桌面型DDR5内存相比 ， DDR5 SO-DIMM笔记本内存要小不少 ， 其长宽分别只有约69.6mm、30mm 。 而桌面版的DDR5内存 ， 哪怕是采用矮版设计 ， 没有设计RGB导光条 ， 一般长宽也能分别达到133mm、35mm 。 本次测试的英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存16GB套装由两条单根容量为8GB的内存组成 ， 每根内存采用单面4颗粒设计 ， 这也是市面上比较少见 ， 颗粒数相当少的内存产品 ， 也就是说每颗颗粒的容量为2GB 。
得益于DDR5内存技术 ， DDR5 SO-DIMM内存的颗粒容量更大 ， 存储密度大幅度提升 。 而此前我们测试的一款DDR4 SO-DIMM内存虽然采用了双面8颗粒设计 ， 内存颗粒数量达到8颗 ， 但其单根容量只有8GB ， 每颗颗粒的容量为1GB 。
再就是DDR5在电压方面的改进 ， 电压降低至1.1V ， 这使得DDR5内存拥有相比DDR4内存相对更高的效率和更低的功耗 ， 毕竟DDR4 SO-DIMM内存的工作电压也需要1.2V 。 与DDR4内存相比 ， DDR5内存在电路设计上也有重大变化 ， 将内存的电源管理集成电路（PMIC）从主板转移到了DDR5内存上 ， 因此英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存也配备了品质可靠的电源管理集成电路 ， 确保为内存的各个元件提供充沛的“动力” 。 该内存的PMIC电源管理集成电路在内存中部的顶端 ， 可以精准地将来自主板的5V电压降压输出给内存使用或按用户设定的电压工作 。
▲英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存中部的顶端配备了PMIC电源管理集成电路 。
此外DDR5 SO-DIMM内存也同样加入了On-die Ecc纠错功能 ， 可以发现和纠正出现在内存单元中的数据错误 ， 在DDR5内存达到较高频率的同时 ， 确保工作稳定性与数据完整性 。
作为美光的消费级品牌 ， 英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存理所当然地选用了来自美光原厂 ， 编号为“1XA45 D8BNK”的美光DDR5内存颗粒 。 其产品编号为MT60B1G16HC-48B， 工作温度在0℃～95℃范围内 。 根据《微型计算机》评测室的测试结果 ， 美光DDR5内存颗粒一般可以稳定超频到DDR5 5600 ， 所以让它仅仅稳定工作在DDR5 4800是毫无问题的 。
▲英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存选用了来自美光原厂 ， 编号为“1XA45 D8BNK”的美光DDR5内存颗粒 。
考虑到笔记本电脑BIOS没有太多的调节项目 ， 因此这款内存具备自动设置频率、延迟的能力 。 用户无须任何设置 ， 只要将内存插入内存插槽 ， 内存频率就能自动提升到最高频率 ， 即DDR5 4800并自动使用最优延迟的能力 。 其在DDR5 4800下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延迟参数仅为40-39-39-76 ， 与其他游戏本使用的DDR5内存规格相当 。 如华硕天选3酷睿版游戏本搭载的16GB（8GB×2）三星DDR5 4800笔记本内存采用的延迟设置也是40-39-39-76 ， 那么英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存是否有什么优势呢？接下来我们在华硕天选3酷睿版游戏本上进行了测试 。
▲英睿达DDR5 4800 SO-DIMM笔记本内存的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延迟参数仅为40-39-39-76 。
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