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前段时间 ， 南京大学陆海和张荣教授团队在前期研究基础上 ， 创新设计出一种表面梯度掺杂诱导δn-i-p超浅结SiC二极管 ， 并通过开发选区刻蚀、高温氧化修复与低温金属化工艺 ， 成功实现了国际首支宽禁带半导体pn结型EUV探测器 。
数值仿真及实验结果证明 ， 浓度梯度掺杂形成的δn-i-p结构可以在探测器表面诱导产生与器件内部pn结区电场方向一致的强电场 ， 从而有效减少光生载流子在器件表面死区中的复合损失 ， 大幅提升器件的探测效率 。
系列片上表征以及封装测试证明该EUV探测器具有接近理论极限的探测效率优势 。
这个研究成果对于光刻机制造行业是非常重要的 。
目前全球最顶尖的光刻机制造商asml所生产的最顶尖光刻机都是EUV光刻机 ， 但在EUV光刻机运行的过程当中有一个非常关键的零部件 ， 那就是探测器 。
传统的探测器一般都是使用Si基紫外探测器 ， 但这种探测器并不是很完美 ， 由于EUV光子在半导体材料中的穿透深度极浅且光子能量高 ， 导致传统Si基紫外探测器在EUV波段的探测效率偏低且器件性能极易发生退化 。
为了解决这个问题 ， 这几年全球很多科研院所高校以及企业都在试图突破技术难题 ， 试图研制出探测效率高、抗辐射能力强和温度稳定性好的新型EUV探测器 ， 但一直都没有太大的成果 。
这次南京大学研究出的宽禁带半导体pn结型EUV探测器可以说实现了这个领域的技术突破 。
以SiC为代表的宽禁带半导体具有本征载流子浓度低、临界位移能高、可见光盲等系列材料性能优势 ， 是制备新一代半导体EUV探测器的优选材料 ， 预计未来会应用在新一代EUV光刻机当中 。
看到南京大学实现这个技术突破之后 ， 有不少网友都兴奋不已 ， 甚至有一些网友觉得 ， 我国很快就可以能够独立自主生产EUV光刻机了 ， 荷兰ASML在高端光刻机的垄断地位就快不保了 。
首先南京大学实现EUV探测器技术的突破 ， 确实是非常鼓舞人心的一件事情 ， 这说明我国的科研实力正在不断提升 ， 我们在芯片研发方面正在逐渐缩小跟国际顶尖水平的差距 。
但是有一点不得不承认的是 ， 目前我国光刻机整体技术跟国际顶尖水平仍然有很大的差距 ， 这种差距不会因为某一个核心技术的突破就可以在短期内迅速缩小 。
光刻机号称地球上最难制造的产品之一 ， 而它之所以难制造 ， 这里面主要有几个方面的原因 。
第一、光刻机零部件构成众多 。 光刻机可不是普通的手机或者电脑这么简单 ， 一台EUV光刻机有几万个零部件构成 ， 任何一个零部件都有可能影响整个光刻机的性能 。
在这么多的零部件当中 ， 目前没有任何一个国家能够完全做到独立自主供应 ， 虽然目前ASML是全球最顶尖的EUV光刻机供应商 ， 但是他们有很多零部件也是从其他国家进口 ， 如果没有其他国家供应零部件 ， ASML也不可能生产出EUV光刻机 。
对于ASML来说尚是如此 ， 对我国来说那更不用说了 ， 要知道根据瓦森纳协议 ， 目前欧美很多国家有很多核心零部件都禁止向我国出口 ， 这意味着我国想要研发出先进的光刻机 ， 大多数核心零部件都得依靠我国自己供应 ， 这是非常艰难的一个过程 。
第二、光刻机上的很多零部件本身的技术难度就很高 。 一台顶级的EUV光刻机有几万个零部件构成 ， 这里面每个零部件要求都非常高 。
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