英特尔|中国半导体传来好消息!突围路线基本定调:自建体系,不依赖EUV光刻机

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英特尔|中国半导体传来好消息!突围路线基本定调:自建体系,不依赖EUV光刻机

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英特尔|中国半导体传来好消息!突围路线基本定调:自建体系,不依赖EUV光刻机

华为被制裁后 , 国人意识到 , 原来我们在半导体制造技术方面如此落后 , 一些人甚至产生了极度悲观的情绪:集全西方之力打造的EUV光刻机 , 仅凭中国怎么可能造出来?
有这样的悲观情绪在所难免 , 因为EUV光刻机是集合数十个西方国家的技术优势 , 由数万个精密零部件打造的人类工业皇冠上的明珠 。

中国独自研发EUV光刻机确实存在很多困难 , 但中国人民骨子里从不畏惧困难 。 愚公移山、大禹治水这些故事深深烙印在中国人的脑海里 , 中国传统文化内核告诉我们的道理是人定胜天!没什么坎是过不去的 , 没有什么山是搬不走的 。
这不 , 在中国集成电路设计创新大会暨一个应用博览会(ICDIA2022)上 , 国家02专项总师叶甜春给国内产业人士和关注中国半导体产业发展的老百姓打上了一剂强心针 。

叶甜春总师为中国半导体发展提出三个换道路径 , 分别是近期换道路径、中期换道路径和远期换道路径 。
近期换道路径是未来3-5年中国半导体发展路径规划 , 这个路径可以称为“非EUV路径” , 即不依赖EUV光刻机也能造出高端芯片 。 大致的原理是在14-7纳米工艺平台引进3纳米采用的纳米环栅(GAA)结构提高性能 , 用系统封装/Chiplet提高功能集成度 。
简而言之 , 该路径的主要方向就是大力发展高性能晶体管技术和先进封装技术以弥补EUV光刻机的缺失 。

GAA晶体管技术一般用于5nm以上的先进工艺 , 技术上要领先台积电目前正在使用的FinFET技术 。 目前已经确定三星3nm将会采用GAA技术 , 届时三星有望在3nm工艺节点上超越台积电 。
根据官方介绍 , 与7nm芯片相比 , 基于GAA技术的3nm工艺打造的芯片逻辑面积将减少45% , 功耗降低50% , 性能提高约35% , 并且可在极低电压环境下稳定运行 。
我们再来了解一下Chiplet , 它是一种功能电路块 , 包括可重复使用的IP块 , 通常也被称作“小芯片”或“芯粒” 。 该技术的优势是设计弹性大、成本低、上市快 , 是后摩尔时代半导体产业的最优解之一 。
简单来讲 , Chiplet封装模式就是将一个功能丰富且面积较大的芯片裸片拆分成多个芯粒(chiplet) , 这些预先生产好的、能实现特定功能的芯粒组合在一起 , 通过先进封装的形式(比如3D封装)被集成封装在一起即可组成一个系统芯片 。
【英特尔|中国半导体传来好消息!突围路线基本定调:自建体系,不依赖EUV光刻机】
从中芯国际离职的半导体大牛蒋尚义就曾力推发展先进封装和Chiplet , 但同样是从台积电出身的梁孟松却坚持在先进制程工艺路线上继续突破 。
不过随着EUV光刻机进入中国大陆的希望越来越渺茫 , 中国半导体短期的发展路线不得不以发展先进封装和Chiplet为主 。 至少在未来3-5年 , 叶甜春总师向我们确立了一条可行的、正确的、以发展Chiplet为主的非EUV路径 。
只要在未来3-5年 , 通过非EUV路径 , 中国能够制造出5nm性能水平的芯片 , 那么我们就可以自主满足95%以上的市场需求 , 高端芯片自主程度会大大提高 , 届时华为当前面临的供应链危机也会大大缓解 。

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