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【gen.g战队|骁龙8 Gen 1功耗、能耗比、发热都不理想，明年安卓旗舰靠什么？】最近 ， 当很多人兴冲冲地期待明年用上4nm的新骁龙旗舰时 ， 不好的消息相继传来 ， 就是骁龙8 Gen 1功耗、能耗比、发热都不理想 ， 这可怎么办呢？明年安卓旗舰靠什么呢？
我们先看看各种关于这款旗舰SOC的测试 。 先看看极客湾的功耗测试 。
骁龙8 Gen 1多核Geekbench 5排名第三 ， 但功耗冲到了11W ， 达到新高度 ， 这也让其能耗比垫底 ， 表现最差 。
小白评测则显示 ， 在使用10分钟后 ， 骁龙8 Gen 1的moto edge X30 ， 手机正反面都突破了60度 ， 达到新高 ， 远超A15满血版的表现 。
有人说不应该啊 ， 毕竟是三星4nm工艺 ， 比起5nm不是更进一步 ， 晶体管更小 ， 核心面积更小 ， 应该更省电才是 。
但根据数据显示 ， 三星4nm的晶体管密度是145.8MTr/mm ， 而台积电5nm的晶体管密度已经达到了171.3MTr/mm 。 也就是说 ， 同频率下三星4nm工艺要比5nm工艺省电 ， 但不会比台积电5nm省电 。 而如果三星4nm工艺下 ， SOC频率调高 ， 那么功耗必然飙升了 。
而实际上 ， 骁龙8 Gen 1的8核为 ， 一颗频率为3.0GHz的Cortex-X2超大核、三颗频率为2.5GHz的Cortex-A710 大核 ， 以及4颗频率为1.8GHz的Cortex-A510小核 。 超大核的频率比起骁龙888 Plus没敢提升多少 ， 但结果还是这样 ， 功耗进一步增大 ， 也是让人无奈了 。
而且 ， 这也不是高通和三星的事 ， 台积电和苹果也是如此 ， 3nm开发受阻 ， 进度变慢 ， 据说明年9月发布的A16处理器 ， 可能还是5nm工艺 ， 性能上的大幅提升也就不用指望了 。
在这种情况下 ， 各家安卓品牌确实需要自谋出路了 ， 再指望骁龙8 Gen 1撑场面 ， 可能会遭到市场不买账的情况 。
我们看到OPPO已经率先发力 ， 推出了马里亚纳 MariSilicon X自研芯片 ， 拥有最高18 TOPS AI算力 ， 也是全球首个采用6nm的影像专用NPU芯片 。
此外 ， vivo也有自研芯片V1 ， 帮助手机实现实时预览成片、手动调节曝光及夜景视频三大功能 。 并且 ， V1还可让原生60帧的游戏通过插帧的方式以90帧的形式呈现 ， 而且部分游戏比原生60帧时还要省电 。
而小米方面 ， 在电源管理方面 ， 在与三星合作的GN2 CMOS上 ， 也有很多创新 。 总之 ， 一旦高通的SOC不给力 ， 各家显然要自己想办法 ， 个人顾个人了 ， 这种情况在历史上也是时常出现的 。
但不管怎样 ， 由于技术突破没有实现 ， 明年手机的创新表现还是有些让人失望的 ， 怪不得越来越多大佬发力电动车市场 ， 手机市场也许已经开始进入一个慢速的发展期了 。
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