【微电子|美国伯克利大学微电子制造所：正在热烈的讨论足以影响未来30年的技术】
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这是美国加州伯克利大学微电子制造所的组会：一群年轻人正在热烈的讨论足以影响未来30年的技术--FinFET 。 1996年 ， 美国DARPA宣布了一项新的研发计划：下一代先进微电子（Advanced Microelectronics ， AME） ， 旨在开发25nm CMOS工艺 。
伯克利大学微电子制造所获得AME项目为期4年的资助 ， 1999年 ， 正是这张“DARPA Device Group Meeting”照片里的年轻人 ， 发表了全新的FinFET晶体管结构 。 大约12年之后 ， 美国英特尔宣布采纳FinFET技术量产22纳米芯片 。
如今 ， 我们手中的手机芯片 ， 几乎都是采用这项技术 ， 我最近常常浏览DARPA的主页 ， 他们几乎参与了所有最前沿的科技创新领域 ， 并且获得了巨大的产业化成就 。 DARPA成功的秘密在哪里？我听说英国也在学习DARPA的模式 ， 然而似乎并不是很成功 。
看着这张照片里 ， 一张张华人的面孔 ， 照片里的年轻人 ， 唯一一位女生 ， 叫Xuejue Huang ， 毕业于华中科技大学 。 她领导了FinFET原型工艺的设计 ， 也是1999年的论文第一作者 。 这篇短短5页纸的会议论文--Sub 50-nm FinFET: PMOS ， 影响了世界30年 ， 以及我们这个时代 。 而1999年 ， 似乎是一个手机还没有普及的年代 ， 写在2022年的新年 。
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