|【专利解密】芯导科技技术沉淀发明双向TVS器件制备方案( 二 )

最后，在第一金属层和主氧化层表面淀积钝化层，在衬底的第二侧淀积第二金属材料以形成第二金属层，最终形成的双向的低容TVS器件。
以上就是芯导科技发明的双向TVS器件及其制备方法，相对于嵌入普通二极管的结构形式，该方案中的结构不仅可有效避免有源区面积减小后ESD防护能力弱的问题，也具备制造工艺简单的优点，从而可以降低其制造成本。
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