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高通骁龙|业绩前景强劲，美光有望王者回归( 三 )

一加科技高通骁龙


参考DDR4芯片的渗透节奏 ， 通常每一子代产品在上量后第一年末渗透率可达到20-30%左右 ， 第二年末渗透率可达到50-70%左右 ， 第三年末基本上就完成了市场绝大部分的渗透 。 未来三年 ， 随着DDR5的渗透和量价齐升机遇 ， 市场规模可大幅增长 。
PC市场进入存量替换阶段 ， 市场规模趋于稳定 ， PC端DRAM出货占比逐年降低随着智能手机及配套生态的持续发展 ， PC的出货量自2011年起就呈缓慢下降趋势 ， 至19年才实现正增长 。 自2015年以来 ， PC每年的出货量保持在2.5-3亿台之间 ， 随着移动端及服务器端DRAM的放量 ， 20年PC端DRAM占比进一步降至12% 。 当前 ， 由于奥秘克戎新毒株的肆虐 ， 海外疫情形势依旧严峻 ， 居家办公学习所带来的强劲需求将至少持续到21年上半年 ， 但PC终端市场需求已有企稳的迹象 。

在DDR5方面 ， 美光于21年10月末推出全新Crucial英睿达DDR5台式电脑内存产品 ， 为消费者提供下一代台式电脑所需的高速度和海量带宽 。 与主流产品 DDR4 内存相比 ， DDR5的数据传输速度提高了50% ， 可为主流PC用户提供发烧友级别的性能 。 预计22年 ， DDR5将在PC领域率先增长 ， 但由于关键零部件短缺 ， 将出现供不应求的状况 。 在处理器领域 ， 采用DDR5处理器也将于22年面世 ， 在上量之后 ， DDR5在22年下半年的增速将快于上半年 。 预计到22年年末 ， DDR5将占DRAM市场的20% 。
FY22Q1 ， 由于?内存组件的短缺影响了内存供应商构建DDR5模块的能? ， DDR5产品明显供不应求 。 未来 ， 随着非内存元件（主要为两大关键元器件：PMIC 电源管理芯片和VRM）的供给短缺得到缓和 ， 22年DDR5的市占率将进一步提升 。 目前主要支持DDR5的平台为Intel的12代酷睿Alder Lake以及AMD的Zen4架构EPYC ， 预计DDR5对DDR4芯片的替代可能要在23年下半年才实现 。
汽车和工业领域将是未来十年增长最快的内存和存储市场作为汽车和工业市场份额的领先者 ， 美光10%以上的收入来自这些终端市场 。 在短期内 ， 非内存部件短缺限制了21年汽车单元的产量（与上年持平） ， 大大低于终端消费者的需求 。 而由于电动汽车采用ADAS速度的加快 ， 特别是电动汽车的采用速度加快 ， 再加上非内存部件短缺的缓解 ， 22年的汽车单元产量将增加 ， F22Q1汽车收入将保持25%的强劲增长 。 另外 ， 美光还与联电达成了一项新的供应协议 ， 以提高通过NAND解决方案支持汽车客户的能力 。 总的来说 ， 汽车市场中DRAM含量未来三年CAGR将约为40％ ， 汽车功率套件中的NAND 未来三年CAGR也将超过50％ 。
美光在DRAM制程与NAND技术方面保持先进地位1znm和 1αnmDRAM节点的组合构成了美光DRAM产量的大部分 。 美光于21年1月末宣布开始批量出货基于1αnm制程工艺的DRAM内存芯片 ， 主要应用于英睿达品牌DDR4内存条及旗舰手机搭载的LPDDR5等产品 。 相较1znm ， 1αnm制程工艺可将容量密度提升多达40％ ， 同时还能让功耗降低15％ ， 让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久 。 DDR4、LPDDR4甚至是DDR5 ， 同样都能使用这种新工艺 ， 并支持智能手机、笔记本、台式机、服务器、嵌入式等各种应用设备 。
未来 ， 美光计划在24年开始 ， 通过1-γ节点在EUV上实现量产 ， 将EUV与多图形浸没式光刻技术相结合 ， 有助于公司保持DRAM技术的领先地位 。 目前 ， DUV技术的精确度已接近极限 ， 下一代13.5nmEUV光刻机是DRAM工艺节点实现10nm以下突破的关键 ， EUV可以通过减少光罩次数来进一步压低成本并提高产能 。 但ASML的EUV一年仅出货几十台 ， 难以满足当前需求 。 三星在20年展开EUV技术试生产阶段 ， 已出货首批用EUV进行制造的1Xnm级别DRAM ， 尽管当前EUV经济效益低于DUV ， 但随着DRAM工艺技术的进步 ， EUV必将是抢占未来市场的关键所在 。

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