在NAND方面 ， 美光已从浮动栅成功过渡到替代栅极架构（replacement gate) ， 并制定了几代的扩展路线图 。 美光于20年11月量产全球首款176层3D NAND Flash ， 较上一代128层3D NAND ， 堆叠层数提升40% ， 数据读写延迟改善了35%以上 ， 极大地提高了应用的性能 ， 有利于提升移动设备、汽车、客户端(PC)和数据中心等应用的存储能力 。 同时 ， 美光于21年7月末宣布已开始批量出货全球首款176 层 NAND通用闪存 (UFS) 3.1 移动解决方案 。 该产品专为高端旗舰手机量身打造 ， 与前代96层USF3.1存储设备相比 ， 可实现75%的顺序写入和随机读取性能提升 ， 从而释放 5G 的潜力——仅需 9.6 秒即可下载一部两小时的 4K 电影 。 当前 ， 176层 NANDFlash已占据公司NAND产量的绝大部分 。
展望未来 ， 美光预计全行业22年NAND需求将增长30% ， 与行业长期的CAGR一致 ， DRAM需求将保持中高双位数增长；美光22年DRAM和NAND出货量预期与行业保持一致 ， 下半年出货量增长更快 。 关于下季度指引 ， 公司预计FY22Q2营收为73-77亿美元 ， GAAP准则下摊薄后EPS为1.73-1.93美元 ， 非GAAP准则下摊薄后EPS为1.85-2.05美元 。
在马太效应之下 ， 资金和技术壁垒较高的DRAM行业将继续保持寡头垄断格局；而受益于智能手机、服务器的更新换代 ， DRAM、NAND密度得到了提升 ， 加上电动汽车ADAS的加速采用 ， 以及DDR5的推广应用 ， 市场对DRAM、NAND的需求将进一步提升 。 而随着1α DRAM和176层NAND产品在主要终端市场的成功推出 ， 加上这两大产品组合提供的良好成本结构 ， 美光在先进工艺技术的市场部署将领先行业数个季度 。
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