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小米近日举办了虎年开年来第一次重要会议——高端化战略研讨会 。 在这次会议上 ， 雷军再次强调三年内小米要拿下全球手机市场份额第一 。
雷军指出 ， 小米高端之路已经走了2年 ， 有成功 ， 也有挫折 ， 目前到了新的阶段 ， 将坚持“快 ， 更稳”的策略 ， 从战略尝试走向战略进攻 ， 从性能领先走向体验优先 。 将坚定地以手机为中心 ， 全面深化推进“手机XAloT\"的核心战略 ， 营造体验全面领先的智能生态 。
雷军强调 ， 高端之路不可能一蹴而就 ， 我们要咬定青山不放松 ， 保持长期的战略定力和持续的投入 ， 坚决执行“5年1000亿”研发计划 。 在“三年手机销量全球第一”战略牵引下 ， 小米要全面对标iPhone 。 高端之路将是一次技术、产品、品牌、品质、服务的全面突破 ， 要靠小米每个团队、每一位同事的努力 。
据悉 ， 小米曾在两年前正式发布第一个五年计划 ， 要在未来五年投入500亿 ， 这两年来小米研发投入已超220亿元 ， 工程师已超16000人 。
小米此前在宣布造车时 ， 也曾宣布将大手笔投入 ， 号称预计未来10年投资额100亿美元 。 这两项决定也侧面证实了 ， 小米集团拥有强大的现金流 ， 将支撑小米深度的自研 ， 将持续探索属于自己的技术 。
值得注意的是 ， 今年1月份小米推出了第三款自研芯片“澎湃P1” ， 由小米12 Pro首发 。 这是一颗专门的快充芯片 ， 对应的“神仙秒充”技术也获得了2021小米年度技术大奖二等奖 。 澎湃P1实现了“120W单电芯”充电的突破 ， 这是以往单电芯电池完全无法做到的高功率快充 ， 而单电芯相比于双电芯带来的最显著的优点就是能更节省空间 ， 同等体积下容量更大 ， 对于机身控制也更有优势 。 官方称 ， 澎湃P1的研发历经18个月 ， 四大研发中心通力合作 ， 耗资过亿 ， 最后终于实现轻薄机身下的大电量120W快充 。
不过近日网上出现了很多关于小米澎湃P1不是小米自研的传言 ， 对此 ， 南芯半导体发布了《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》辟谣 。
南芯半导体在说明中表示 ， 小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号SC8561） 。 这款芯片具备超高压4:1充电架构 ， 实现了120W单电芯充电 ， 支持1:1、2:1和4:1转换模式 ， 所有模式均可双向导通 ， 可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能 。
南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571 ， 为超高压4:2充电架构 ， 可实现120W双电芯充电 ， 其针对超大功率充电需求 ， 支持4:2、2:2两种模式 。
小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同 ， 是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片 。
【小米科技|雷军再次强调三年内手机销量要做到全球第一，5年投入1000亿研发】
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