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根据Intel的芯片工艺路线图 ， 到2025年之前他们要在短短4年内掌握5代CPU工艺 ， 其中有2代还是首次进入埃米级工艺 ， 今年下半年将要量产Intel 4工艺 ， 也就是对标友商的”4nm“工艺 ， 也是Intel首款使用EUV光刻机的工艺 。
目前台积电、三星已经量产了4nm工艺 ， 不过Intel自家的”4nm“工艺还是有不少特色的 ， 特别是在性能方面 ， 其他两家主要生产低功耗芯片 ， Intel则是要生产高性能处理器 ， 包括桌面及服务器级别的 。
Intel的这个”4nm“工艺比目前的Intel （也就是没改名前的第二代10nm工艺）工艺每瓦性能提升20% ， 如果是对比之前的初代10nm工艺 ， 那么性能提升超过35% 。
其他方面 ， Intel ”4nm“工艺的晶体管密度相比Intel 7工艺提升100% ， HP高性能库密度可达1.6亿晶体管/mm2 ， 高于台积电5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2 ， 接近台积电未来的3nm工艺的2.08亿晶体管/mm2水平了 。
目前Intel 7工艺量产的12代酷睿及下半年的13代酷睿频率可以做到5.5GHz了 ， 假设性能也只是提升20% ， 那极限频率应该可以突破6GHz了 ， 史无前例的水平 ， 不知道Intel会不会这么做 。
【英特尔|Intel公开4nm EUV工艺性能：CPU频率冲击6GHz？】Intel 4工艺会在明年的14代酷睿Meteor Lake上首发 ， 后者也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封装的处理器 ， 主要有三个部分封装在一起 ， 一是计算模块 ， 二是GPU模块 ， 多达96-192个计算单元 ， 三是SoC-LP ， 应该是包含内存控制器、PCIe控制器等输入输出部分 。
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