添加剂的浓度在通过充填过程中起着重要的作用 ， 它影响了通过表面上的添加剂吸附解吸行为的随机概率 ， 此外 ， 随着吸附和消耗过程的进行 ， 它影响了通道内部的生长速率 ， 从而控制了Cu-TSV填充模型 。 当片段晶片在高添加剂浓度(6- 30ppm)的槽中电镀时 ， 孔在同一周期内完全填充 ， 而当添加剂浓度更高(50~ 80ppm)时 ， 在同一电镀周期内出现部分填充轮廓 。
本文介绍了四种优化方法来减少三维集成透硅通孔(TSVS)的填充时间 ， 并利用线性扫描伏安法(LSV)和时安培技术对其机理进行了研究 ， 对相对于tsv的阳极位置进行了优化 ， 当阳极放置在tsv的前方、右侧和后方时 ， 填充效率在一定程度 上依次提高 ， 多步TSV填充过程表明 ， 在从腔室和孔中去除空气之前 ， 加入添加剂(DVF- B) ， TSV填充效率有效提高 ， 填充效率随着预湿电解液中加速器浓度的增加而提高 ， 模拟了添加剂的表面吸附过程 ， 对理解添加剂的吸附和填充过程具有很大的意义 ， 添加剂的浓度在通过填充过程中起着重要的作用 ， 这控制着Cu-TSV的填充模型 。
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